在MOS中什么叫衬底耦合原理是什么

就是说管子的栅，源，漏和衬底（sub）之间都是有寄生电容的，当这3个极的电位，尤其是栅极，发生剧烈变化时，这个剧烈变化的信号就会通过寄生电容耦合到衬底上去。

由于cmos工艺共用sub，所以一旦发生了衬底耦合，那么这个衬底就是非常“脏的，因为它包含了各种信号的混合干扰，从而进一步反过来影响其他器件另外3个极的有用信号。对于单阱工艺，引入耦合的器件是nmos，因为pmos做在NWell里相当于和sub进行了隔离，而nmos直接做在p-sub里，sub又是共用的，所以都耦合进去了。